Présentation du produit
L'hexafluoroéthane (C₂F₆) est un composé fluorocarboné saturé et entièrement fluoré, se présentant comme un gaz incolore, inodore, in-inflammable et non-toxique dans des conditions standard. En tant que gaz spécial électronique critique, l'hexafluoroéthane est apprécié pour sa stabilité chimique exceptionnelle et son excellente sélectivité de gravure, ce qui le rend indispensable dans la fabrication de semi-conducteurs et de microélectronique. Produit selon des processus de purification rigoureux, notre hexafluoroéthane de haute-pureté répond aux exigences rigoureuses des applications électroniques avancées où l'ultra-pureté élevée et un minimum d'impuretés sont primordiaux.
Informations de base
| N° CAS | 76-16-4 |
| No ONU | UN2193 (Hexafluoroéthane comprimé) |
| Formule moléculaire | C₂F₆ |
| Classification des risques | 2.2 (gaz in-ininflammable et non-toxique) |
Attributs et paramètres clés
| Pureté | Supérieur ou égal à 99,999 % (norme de qualité 5N), avec des qualités supérieures disponibles. |
| Impuretés critiques (spécifications typiques) |
Oxygène (O₂) Azote (N₂) : Inférieur ou égal à 2 ppm Humidité (H₂O) : Inférieure ou égale à 1 ppm Ions métalliques totaux : inférieur ou égal à 10 ppb |
| Point d'ébullition | -78,2 degrés |
| Température critique | 19,7 degrés |
| Pression de vapeur (à 21,1 degrés) | 3,33 MPa abs. |
| Densité (gaz, 25 degrés) | ~7,85 kg/m³ (environ. 5x plus dense que l'air) |
Caractéristiques et avantages
Haute stabilité chimique et plasmatique
Les fortes liaisons C-F assurent une décomposition stable et contrôlée dans les environnements plasmatiques, générant des radicaux fluorés actifs pour une gravure précise.
Sélectivité de gravure supérieure
Offre des rapports de taux de gravure hautement réglables entre le silicium, le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium et la résine photosensible, permettant un transfert de motif sophistiqué pour les nœuds avancés.
Excellentes propriétés diélectriques et isolantes
Sa rigidité diélectrique élevée et sa stabilité thermique le rendent adapté aux applications spécialisées d’isolation électrique.
Compatibilité des processus et large fenêtre
Compatibilité éprouvée avec les outils standard de fabrication de semi-conducteurs (par exemple, graveurs ICP, CCP), offrant une fenêtre de processus large et stable pour les fabricants.
Caractéristiques fonctionnelles
Dans les processus plasma-, l'hexafluoroéthane se décompose pour générer des radicaux fluor (F*) et divers ions CFx. Cela lui permet de fonctionner principalement comme :
1. Un agent de gravure de précision : permet une gravure anisotrope du silicium, du polysilicium et de divers films diélectriques avec une sélectivité et un contrôle de profil élevés.
2. Un agent de nettoyage de chambre : élimine efficacement les résidus à base de silicium- du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et de l'intérieur de la chambre de gravure sans endommager les composants de la chambre.
3. Un gaz porteur/diluant : peut être utilisé pour moduler et stabiliser la chimie du plasma dans les mélanges gazeux.
Domaines d'application principaux
Fabrication de semi-conducteurs
Agent de gravure clé pour la configuration de grille en polysilicium, l'isolation par tranchée peu profonde (STI) et la gravure diélectrique (SiO₂, faible -k) via/tranchée. Indispensable pour le nettoyage des chambres in-.
Fabrication d'écrans plats (FPD)
Utilisé dans la configuration de réseaux de transistors à couches minces (TFT) et la micro-fabrication d'écrans OLED.
Photovoltaïque
Texturation et modelage dans la fabrication de cellules solaires à base de silicium-et à couches minces-.
Autres applications
Utilisé comme réfrigérant (R116), gaz isolant dans les équipements électriques et gaz tampon dans les lasers.
Cas de collaboration client
Une fonderie de semi-conducteurs de premier plan s'est associée à nous pour optimiser son processus de gravure de trous de contact sur puce logique de 28 nm, qui était confronté à des problèmes de rugosité des parois latérales et d'uniformité de gravure. Nous avons développé un mélange gazeux personnalisé à base d'hexafluoroéthane- (avec O₂ et Ar) adapté à leur outil de gravure spécifique (Applied Materials Centura). Nous avons fourni de l'hexafluoroéthane d'ultra-haute-pureté à 99,9995 % avec des impuretés métalliques.<5 ppb and implemented a real-time gas monitoring system. This collaboration resulted in a 40% reduction in sidewall roughness (from 5.2nm to 3.1nm), improved within-wafer uniformity from ±8% to ±4%, and enhanced critical dimension control by 25%. The successful gas formulation was adopted as their standard process, contributing to a 3.2% increase in production yield and establishing a joint development framework for sub-10nm node etch solutions. This case highlights how our high-purity hexafluoroethane and application expertise directly enable advanced manufacturing.
FAQ
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